Optical Sensing Transistor
Optical Sensing Transistor suppliers
Optical Sensing Transistor factory
Optical Sensing Transistor best
Optical Sensing Transistor high quality
Optical Sensing Transistor price
Optical Sensing Transistor best
Optical Sensing Transistor factory
Optical Sensing Transistor high quality
Optical Sensing Transistor high quality
Optinen anturitransistori
Kuvaus
Tekniset parametrit
Fototransistori (ET102BM2) on TO18-metallikansipakattu piin NPN-valotransistori, jonka huippuspektrivaste on 940 nm. Se tuottaa 6 mA valovirran, 200 nA tummavirran ja erittäin laajan 130 asteen vastaanottokuvakentän. Se integroi valontunnistus- ja signaalinvahvistustoiminnot yhteen TOcan-pakettiin, mikä poistaa useiden infrapunatunnistuspiireistä erillisten vahvistinkomponenttien tarpeen. Se toimii täydellisesti vastaanottavana kumppanina 850 nm / 940 nm infrapuna-LED-lähettimille teollisissa optisensorilaitteistoissa.
Vakiomuotoiset TO18-valotransistorit ovat suurivolyymeisia optoelektroniikkakomponentteja. Vakaa massatuotannon työnkulkumme takaa tasaisen valo- ja tummavirtasuorituskyvyn, mikä on kriittistä asiakkaille, jotka kokoavat suuria optikkokatkaisijamoduulia.
Tekniset parametrit
|
Parametri |
Erittely |
|
Materiaali |
Silicon NPN valoherkkä siru, TO18 metallipurkkikotelo |
|
Malli |
ET102BM2 |
|
Paketti |
TO18 metallitölkin läpireikä |
|
Huippu herkkä aallonpituus |
940 nm |
|
Valovirta |
6 mA |
|
Pimeä virta |
200 nA |
|
Vastaanoton katselukulma |
130 astetta |
Sovellukset
Urallinen valokuvakeskeyttimen vastaanottoelementti
Yhteensopiva vastaanottovalotransistori yhdistettynä infrapuna-LED-lähettimiin slot-tyyppisille optikytkimille.
Teollisuuden automaation kosketuksettomat tunnistuskokoonpanot
Integroitu valotunnistus- ja vahvistuskomponentti automaation havaitsemiseen PCB:t.
Pienikokoiset infrapunatunnistimen testilaitteet
Normaali 940 nm:n valotransistori laboratoriotason optoelektronisiin testijigeihin.
Räätälöinti
OEM / ODM-palveluita tuetaan. Hyväksymme piirustukseen tai prototyyppiin perustuvan valmistuksen. Mukautetun näytteen kehityssykli on noin yksi viikko. Esimassatuotantonäytteitä voidaan tarjota arvioitavaksi.
Pakkaus & Kuljetus
Jokainen fototransistori on suljettu antistaattiseen pussiin, joka on sijoitettu vaahtomuovi-iskunkestävän laatikon sisään. Laatikot ladataan vahvistettuihin vientilaatuisiin aaltopahvipakkauksiin, jotka on täytetty pehmusteella ja kääritty vedenpitävällä stretchkalvolla. Antistaattiset ja herkät varoitustarrat on painettu ulkopuolelle. Tukee EXW, FOB, DDP.
FAQ
Suositut Tagit: optinen anturitransistori, Kiina optisten anturien transistorien valmistajat, toimittajat, tehdas
Lähetä kysely
